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Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf =

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-23 10:07:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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