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RJP4585

PowerMOSFETsandIGBTforPDP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Heyco®-TiteBrassLiquidTightCordgrips

文件:267.06 Kbytes Page:1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Heyco

CMOS4-BITMAGNITUDECOMPARATOR

文件:556.8 Kbytes Page:3 Pages

RANDE

R & E International, Inc.

RANDE

Heyco®-TiteBrassLiquidTightCordgrips

文件:267.06 Kbytes Page:1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Heyco
更新时间:2025-5-20 9:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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TO-220F
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NA
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专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553

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  • RK3188-T ROCKCHIP

    www.hfxcom.com

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