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RJP30E2DPK-M0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features • Trench gate technology (G5H series) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ • High speed switching tf = 150 ns typ • Low leak current ICES = 1 μA max

RENESAS

瑞萨

RJP30E2DPK-M0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

RENESAS

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RJP30E2DPK-M0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP30E2DPK-M0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-26 11:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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