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RJP30E2DPK-M0

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features •Trenchgatetechnology(G5Hseries) •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.7Vtyp •Highspeedswitchingtf=150nstyp •LowleakcurrentICES=1μAmax

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

RJP30E2DPK-M0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP30E2DPK-M0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-5-30 15:49:00
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