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RJP1CS04DWT-80X0

1250V - 50A - IGBT Application: Inverter

Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • High speed switching • Short circuit withstands time (10 μs min.)

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-3-3 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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