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RJL5013DPP-A0

500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching

Features  Built-in fast recovery diode  Low on-resistance RDS(on) = 0.42  typ. (at ID = 7 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C)  Low leakage current  High speed switching  Quality grade: Standard

RENESAS

瑞萨

RJL5013DPP-A0

General-Purpose Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching

Features  Low on-resistance RDS(on) = 0.385  typ. (at ID = 7 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C)  Low leakage current  High speed switching  Quality grade: Standard

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-18 15:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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十年配单,只做原装

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