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RJK60S7DPP-E0-T2

600V-30A-SJMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ●SuperjunctionMOSFET ●Lowon-resistance RDS(on)=0.100Ωtyp.(atID=15A,VGS=10V,Ta=25°C) ●Highspeedswitching tf=15nstyp.(atID=15A,VGS=10V,RL=20Ω,Rg=10Ω,Ta=25°C)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-5-20 13:28:00
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