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RJK60S3DPE-00J3

600V - 12A - SJ MOS FET High Speed Power Switching

Features ● Superjunction MOSFET ● Low on-resistance RDS(on) = 0.35 Ω typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) ● High speed switching tf = 21 ns typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, RL = 50Ω, Rg = 10, Ta = 25°C)

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-11-21 10:07:00
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