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RJK6013DPP

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.58Ωtyp.(atID=5.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.58Ωtyp.(atID=5.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

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600V-11A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features Lowon-resistance RDS(on)=0.58typ.(atID=5.5A,VGS=10V,Ta=25C) Lowleakagecurrent Highspeedswitching Qualitygrade:Standard

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600V-11A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.58Ωtyp.(atID=5.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

600V-11A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

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PLUGSANDJACKS

[KEYSTONE]

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2

MSD6-Hemi짰ControllerforCarburetedandEFIHemi짰Engines

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MALLORYMallory Sonalert Products Inc.

马洛里马洛里MALLORY

MALLORY

For200,210,270and280Series

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OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY

欧敏欧敏电阻制造公司

OHMITE

LTEBand13DuplexerwithPublicSafetyBandRejection

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AVAGOAvago

安华高安华高科技

AVAGO

LTEBand13DuplexerwithPublicSafetyBandRejection

文件:229.8 Kbytes Page:2 Pages

BOARDCOMBroadcom Corporation.

博通公司博通半导体

BOARDCOM

RJK6013DPP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK6013DPP

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2024-6-17 18:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瑞萨Renesa
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
RENESAS(瑞萨)/IDT
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原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
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原装正品,支持实单

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