型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RJK5030DPD

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

RJK5030DPD

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

RJK5030DPD

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

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RJK5030DPD

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RJK5030DPD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK5030DPD

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2026-3-2 23:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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