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RJK5026DPP-A0

500V-6A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features Lowon-resistance RDS(on)=1.35typ.(atID=3A,VGS=10V,Ta=25C) Lowleakagecurrent Highspeedswitching Qualitygrade:Standard

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-5-31 15:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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