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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ● Built-in fast recovery diode ● Low on-resistance RDS(on) = 0.14 Ω typ. (at ID = 17.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) ● Low leakage current ● High speed switching

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-22 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS/瑞萨
2450+
TO-3P
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
RENESAS
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11000
原装正品 有挂有货 假一赔十
RENESAS
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
RENESAS
21+
TO-220属封
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
瑞萨Renesa
25+
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
RENESAS
2023+
TO-220F
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
瑞萨Renesa
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6000
十年配单,只做原装
RENESAS
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全新原装正品现货,支持订货
ST/意法
23+
TO220
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