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RJK5013DPP-E0

500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching

* Low on-resistance * RDS(on)= 0.385 typ. (at Id= 7 A, Vgs= 10 V, Ta = 25 C) * Low leakage current * High speed switching

RENESAS

瑞萨

RJK5013DPP-E0

Power MOSFETs

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500V - 14A - MOS FET High Speed Power Switching

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500 V - 14 A - MOS FET High Speed Power Switching

Features • Built-in fast recovery diode • Low on-resistance RDS(on) = 0.42 Ω typ. (at ID = 7 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching

RENESAS

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更新时间:2025-12-14 23:01:00
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