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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.036 Ω typ. (at ID = 22.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C) • Low leakage current • High speed switching

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-24 8:30:01
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