型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RJK03L2DNS

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 4.2 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

RJK03L2DNS

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

RENESAS

瑞萨

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RENESAS

瑞萨

Double-Ended Cordsets

BCC M314-M414-3E-304-VX8434-006 Basic features Approval/Conformity CE cULus WEEE

Balluff

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Half-inch Rotary Switches

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ITT

RJK03L2DNS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK03L2DNS

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

更新时间:2025-12-23 10:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
23+
QFN
8560
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RENESAS/瑞萨
2517+
QFN-8
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公司只做原装 品质保障
RENESAS/瑞萨
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SOT-23
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
RENESAS
24+
QFN
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全新原装现货/放心购买
NK/南科功率
2025+
HWSON-8
986966
国产
RENESAS
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QFN
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绝对原装正品全新进口深圳现货
RENESAS/瑞萨
23+
QFN-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS/瑞萨
23+
QFN-8
89630
当天发货全新原装现货

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