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RJK03K8DNS-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 4.6 mΩ typ. (at VGS = 8.0 V) • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

RJK03K8DNS-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

RENESAS

瑞萨

RJK03K8DNS-00-J5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK03K8DNS-00-J5

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

更新时间:2025-12-23 12:00:00
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