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RJK03H1DPA-00-J5A

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

RJK03H1DPA-00-J5A

30V, 45A, 2.4m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET

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RENESAS

瑞萨

RJK03H1DPA-00-J5A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK03H1DPA-00-J5A

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

更新时间:2025-8-17 14:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
24+
QFN-8
16900
原装正品现货支持实单
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