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RJK03C2DPB-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 1.9 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

RJK03C2DPB-00-J5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK03C2DPB-00-J5

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

更新时间:2025-8-17 10:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
DFN5X6-L
986966
国产
RENESAS/瑞萨
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS/瑞萨
22+
WPAK
25000
只做原装进口现货,专注配单
RENESAS/瑞萨
23+
QFN
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESAS(瑞萨)/IDT
20+
-
3000
RENESAS
24+
QFN
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS
23+24
QFN8
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
RENESAS
23+
SON
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
24+
N/A
52000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
RENESAS
23+
SON
2610
全新原装正品现货,支持订货

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