型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RJK03C2DPB-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 1.9 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

RJK03C2DPB-00-J5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK03C2DPB-00-J5

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

更新时间:2026-3-5 14:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
QFN
3000
原装正品,支持实单
RENESAS
23+
SON
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
RENESAS/瑞萨
WPAK
22+
6000
十年配单,只做原装
NK/南科功率
2025+
DFN5X6-L
986966
国产
RENESAS
25+
QFN
8505
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
RENESAS/瑞萨
24+
QFN
60000
全新原装现货
RENESAS
23+
SON
2610
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
22+
SON
20000
公司只做原装 品质保障
RENESAS
23+24
QFN8
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
RENESAS
23+
QFN
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!

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