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RJK0389DPA_09

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK0389DPA_09产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK0389DPA_09

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-8 9:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
23+
WDFN8
50000
全新原装正品现货,支持订货
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