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RJK0381DPA-00-J53

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 3.4 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

RJK0381DPA-00-J53

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

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RENESAS

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RJK0381DPA-00-J53产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK0381DPA-00-J53

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

更新时间:2025-8-18 20:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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