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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
RJK0379DPA-00-J53	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 1.8 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0379DPA-00-J53	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching 文件：88.47 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

类型
描述
型号
RJK0379DPA-00-J53
制造商
RENESAS
制造商全称
Renesas Technology Corp
功能描述
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

RJK0379DPA-00-J53供应商更多...

更新时间：2025-11-27 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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RJK0652DPB-00#J5
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2023-8-25
RJH60F7DPQ-A0
RJH60F7DPQ-A0 ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-1-13
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RJK03C9DNS-00-J5 深圳市拓亿芯电子有限公司，专业代理，分销世界名牌电子元器件，是一家专业化，品牌化的电子元器件，质量第一，诚信经营。
2019-3-7
RJK0366DPA-01-J0
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2019-3-7
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2019-3-7
RJK0365DPA原装现货
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2019-1-9