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RJH60F7DPQ-A0-T0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

RJH60F7DPQ-A0-T0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F7DPQ-A0-T0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-8-5 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS
1932+
TO-220F
359
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Renesas
25+
TO247
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
RENESAS/瑞萨
22+
TO247
25000
只做原装进口现货,专注配单
RENESAS/瑞萨
23+
TO-3P
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESAS/瑞萨
24+
TO-247
1200
只做原装,欢迎询价,量大价优
RENESAS/瑞萨
TO247
22+
6000
十年配单,只做原装
RENESAS
2023+
TO-220F
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
/ROHS.original
原封
15120
集成电路供应 -正纳电子/ 原材料及元器件IC MOS MCU
RENESAS/瑞萨
24+
TO-3P
60000
全新原装现货

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