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厂家型号	RJH60F7DPQ-A0-T0
文件大小	112.21Kbytes
页面数量	8页
功能描述	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

Features

• Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

• Built in fast recovery diode in one package

• Trench gate and thin wafer technology

• High speed switching

tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

RJH60F7DPQ-A0-T0供应商...

更新时间：2025-10-18 10:18:00

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