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RJH60F7DPQ-A0-T0中文资料
RJH60F7DPQ-A0-T0数据手册规格书PDF详情
Features
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
RJH60F7DPQ-A0-T0产品属性
- 类型
描述
- 型号
RJH60F7DPQ-A0-T0
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+24 |
TO-247 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-3P |
60000 |
全新原装现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
RENESAS |
/ROHS.original |
原封 |
15120 |
集成电路供应 -正纳电子/ 原材料及元器件IC MOS MCU |
|||
Renesas |
25+ |
TO247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
RENESAS |
1932+ |
TO-220F |
359 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO-220F |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
10000 |
公司现货 |
|||
RENESAS |
1809+ |
SC-83 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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- R5F2L387CDFA
- R5F2L38CCNFA
- R5F363AMNLG
- R5F562T6BDFF
- R5F562T6BDFM
- R5F562T6DFFF
- R5F562T7BDFF
- R5F562T7BDFH
- R5F562T7DDFP
- R5F562TADDFH
- RJH60F4DPQ-A0
- RJL5013DPE-00-J3
- RJL6014DPP-00-T2
- RNA51955B
- SDA113ALUB
- SDA113BLUB
- SDA18A_1
- SDA37AUF
- SDA38BHF
Datasheet数据表PDF页码索引
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为