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RJH60F5DPQ-A0-T0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω

RENESAS

瑞萨

RJH60F5DPQ-A0-T0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F5DPQ-A0-T0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-9-26 11:12:00
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