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RJH60F5DPQ-A0-T0中文资料

厂家型号

RJH60F5DPQ-A0-T0

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8

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJH60F5DPQ-A0-T0数据手册规格书PDF详情

Features

• Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

• Built in fast recovery diode in one package

• Trench gate and thin wafer technology

• High speed switching

tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

RJH60F5DPQ-A0-T0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F5DPQ-A0-T0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-18 18:58:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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