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RJH60F4DPQ-A0-T0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 80 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta

RENESAS

瑞萨

RJH60F4DPQ-A0-T0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F4DPQ-A0-T0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2026-2-18 19:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
TO-247
880000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS/瑞萨
19+
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原装现货支持BOM配单服务
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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
Renesas(瑞萨)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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150
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
2023+
TO-3P
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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24+
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RENESAS/瑞萨
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6000
十年配单,只做原装

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