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RJH60F3DPQ-A0#T0

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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知名厂家

600 V - 20 A - IGBT High Speed Power Switching

Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 92 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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RJH60F3DPQ-A0#T0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F3DPQ-A0#T0

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    IGBT - Rail/Tube

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A

更新时间:2025-8-5 13:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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