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RJH60F3DPQ-A0

600V-20A-IGBTHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(IC=20A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=92nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω,

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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RJH60F3DPQ-A0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F3DPQ-A0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    600 V - 20 A - IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-6-6 18:41:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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