型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RJH60F3DPK

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) ● Built in fast recovery diode in one package ● Trench gate and thin wafer technology ● High speed switching tf = 92 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg =

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RJH60F3DPK

IGBTs

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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ETC

知名厂家

Disconnect switches Non-fusible Fusible

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

RJH60F3DPK产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F3DPK

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-12-22 21:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25+
TO-247
860000
明嘉莱只做原装正品现货
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2450+
TO-247
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
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21+
TO-247
1062
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19+20+
9999
原装现货支持BOM配单服务
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TO-3P
50000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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/ROHS.original
原封
15120
集成电路供应 -正纳电子/ 原材料及元器件IC MOS MCU
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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2023+
TO-247
6893
十五年行业诚信经营,专注全新正品
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23+
TO-247A
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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22+
TO3P
9000
原厂渠道,现货配单

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