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Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf =

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-2-22 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS/瑞萨
12+
TO220
2
RENESAS
25+23+
TO-220F
34854
绝对原装正品全新进口深圳现货
MIT
26+
原厂原封装
86720
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
RENESAS/瑞萨
25+
NA
860000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS/瑞萨
24+
TO-3P
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
RENESAS
17+
TO220
60000
保证进口原装可开17%增值税发票
Renesas(瑞萨)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
RENESAS
1735
TO-220
2400
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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