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RJH60D3DPE-00-J3

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf =

RENESAS

瑞萨

RJH60D3DPE-00-J3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60D3DPE-00-J3

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT

  • Application

    Inverter

更新时间:2025-12-21 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
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SOT-263
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RENESAS
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