| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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RHFAC00K1 | Rad-hard advanced high-speed 5 V CMOS logic series 文件：1.31391 Mbytes Page：29 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
Rad-Hard, quad high speed NAND gate Features • 1.8 V to 3.3 V nominal supply • 3.6 V max. operating • 4.8 V AMR • Very high speed: propagation delay of 3 ns maximum guaranteed • Pure CMOS process • CMOS output • Ultra low power • 300 krad TID targeted • 125 MeV.cm2/mg SEL free • 62.5 MeV.cm2/mg SET free Description The | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Inductive Sensors 文件：104.49 Kbytes Page：2 Pages | Balluff 巴鲁夫 | | ||
LF (125 kHz) 文件：115.5 Kbytes Page：2 Pages | Balluff 巴鲁夫 | | ||
Photoelectric Sensors 文件：180.06 Kbytes Page：2 Pages | Balluff 巴鲁夫 | | ||
Pressure Sensors 文件：120.2 Kbytes Page：2 Pages | Balluff 巴鲁夫 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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