| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BES00K1 | Inductive Sensors 文件：104.49 Kbytes Page：2 Pages | Balluff 巴鲁夫 |   | |
Rad-Hard, quad high speed NAND gate Features • 1.8 V to 3.3 V nominal supply • 3.6 V max. operating • 4.8 V AMR • Very high speed: propagation delay of 3 ns maximum guaranteed • Pure CMOS process • CMOS output • Ultra low power • 300 krad TID targeted • 125 MeV.cm2/mg SEL free • 62.5 MeV.cm2/mg SET free Description The | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
LF (125 kHz) 文件：115.5 Kbytes Page：2 Pages | Balluff 巴鲁夫 | | ||
Photoelectric Sensors 文件：180.06 Kbytes Page：2 Pages | Balluff 巴鲁夫 | | ||
Pressure Sensors 文件：120.2 Kbytes Page：2 Pages | Balluff 巴鲁夫 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BES |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
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24+ |
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BES |
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BGA |
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APPLIED MATERIALS (AMAT) |
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BESTRELY |
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BGA |
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NEC |
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LQFP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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SAMSUNG |
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NA |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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BES |
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QFN |
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BES |
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QFN |
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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BES |
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QFN |
34 |
原装 |
BES00K1规格书下载地址
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BD9F500QUZ-E2
进口代理
2024-4-18BE-A301
BE-A301
2022-3-15BF7612CM28，40k现货，批次21+
BF7612CM28，40k现货，批次21+
2021-11-18BF7612CM28，BYD，40K，21+
BF7612CM28，BYD，40K，21+
2021-11-10BF862215
JFET - 25 V 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , SMD/SMT 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , JFET 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , GaN SiC SMD/SMT 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , JFET N-Channel 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , MESFET 射
2020-8-5BD9F800 DC / DC降压开关稳压器BD9F800MUX-ZE2
ROHM Semiconductors的BD9F800是具有高速响应的恒定导通时间控制的DC / DC转换器
2020-6-9
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