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RH-AHC00K1

Rad-Hard, quad high speed NAND gate

Features • 1.8 V to 3.3 V nominal supply • 3.6 V max. operating • 4.8 V AMR • Very high speed: propagation delay of 3 ns maximum guaranteed • Pure CMOS process • CMOS output • Ultra low power • 300 krad TID targeted • 125 MeV.cm2/mg SEL free • 62.5 MeV.cm2/mg SET free Description The

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Inductive Sensors

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LF (125 kHz)

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更新时间:2025-10-26 15:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原厂正品
23+
SOT23
5000
原装正品,假一罚十
FH风华
24+
SMD0603
315000
原装现货抗硫化车规薄膜电阻
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DIP
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