型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RFM15N12

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

RFM15N12

15A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

RFM15N12

Trans MOSFET N-CH 50V 15A

ETC

知名厂家

RFM15N12

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSSITORS

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GESS

RFM15N12

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

文件:87.94 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

RFM15N12

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

文件:87.94 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Fast Switching

文件:49.33 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

12V, 5.9m廓, 15A, Dual N-Channel

文件:1.07797 Mbytes Page:7 Pages

FS

RFM15N12产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFM15N12

  • 制造商

    GESS

  • 制造商全称

    GESS

  • 功能描述

    N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSSITORS

更新时间:2025-11-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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RFM
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50000
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