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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

10A,150V,0.3廓,N-CHANNELPOWERMOSFETS

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件:957 Kbytes Page:7 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

N-Channel200V(D-S)MOSFET

文件:1.00803 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-17 11:38:01
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