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位置：首页 > IC中文资料第834页 > RFG60P06E

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RFG60P06E

60A,60V,0.030Ohm,ESDRated,P-ChannelPowerMOSFET

TheRFG60P06EP-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulato

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
RFG60P06E

60A,60V,0.030Ohm,ESDRated,P-ChannelPowerMOSFET

TheRFG60P06EP-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulato

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
NCE60P06S

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE60P06Susesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=-60V,ID=-6A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

NCEPOWER
LMAK60P06

P-ChannelEnhancementModeFieidEffectTransistor

文件：711.57 Kbytes Page：4 Pages

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH
RFF60P06

25A??60V,0.030Ohm,P-ChannelPowerMOSFET

文件：88.87 Kbytes Page：8 Pages

Intersil

Intersil Corporation

Intersil

RFG60P06E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFG60P06E

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

RFG60P06E供应商更多...

更新时间：2025-7-1 14:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
RFG60P06E
FAIRCHILD/仙童
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
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中天科工半导体（深圳）有限公司
RFG60P06E
FAIRCHILD/仙童
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深圳市卓越微芯电子有限公司
RFG70N06
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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深圳市振宏微科技有限公司
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