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16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

The RFD16N05 and RFD16N05SM N-channel power MOSFETs are manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in application

Fairchild

仙童半导体

16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

The RFD16N05 and RFD16N05SM N-channel power MOSFETs are manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in application

Intersil

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

文件:226.37 Kbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel 5.5V Dual Power MOSFET

文件:417.89 Kbytes Page:8 Pages

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-23 18:08:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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FAIRCHILD/仙童全新特价RFD16N05LSM即刻询购立享优惠#长期有货
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    描述 该REF12Z和REF12D使用集成电路带隙的原则,提供精确稳定的参考电压1.26V。有两种方案可供选择:REF12Z在塑料3引脚TO - 92和一个微型REF12D 表面贴装封装(MP8)。这些提法的特点推荐工作电流至2.5mA的90mA的这使它们非常适于各种低功耗和电池的应用。DS2475 - 2.1 特征 低膝关节电流 - 通常是80微安 为电池供电的理想 - 113微瓦 REF12Z - 3脚TO - 92塑料封装 REF12D - 微型表面贴装塑料封装

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