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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance; -RDS(on)=8.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Zener-ProtectedSuperMESHMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

Zener-ProtectedSuperMESHMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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更新时间:2025-7-20 11:23:01
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