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位置：首页 > IC中文资料第9432页 > Q12R5

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
Q12R5

1AND2WATTDC/DCCONVERTERS

[ReliabilityIncorporated.] 1&2WattsDC/DCConverters

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1
12R5

30AMPEPIONIIHIGHSPEEDRECTIFIER50-150VOLTS

FEATURES ●RADIATIONTOLERANT ●ULTRAFASTRECOVERY50NSECMAX ●REVERSEVOLTAGEUPTO150VOLTS ●VERYLOWFORWARDVOLTAGEDROP450MVAVERAGE ●LOWREVERSELEAKAGE ●HERMETICALLYSEALED ●SINGLECHIPCONSTRUCTION ●200°COPERATING

SSDI

Solid States Devices, Inc

SSDI
MAW-12R5

EquipmentDesignedtoConformEMIRegulationsSuchAsVCCI,CISPR,FCC,VDE,etc?

Features (1)ForequipmentdesignedtoconformEMIregulationssuchasVCCI,CISPR,FCC,VDE,etc. (2)Attenuationeffectagainsthighvoltagepulsenoise (3)Attenuatesconductiveemissionfrompowersupply (4)Leakagecurrent:1mAmax.(250V,60Hz) (5)Highshieldedeffect(coveredbymetal

LAMBDA

DENSEI-LAMBDA

LAMBDA
PMPB12R5EP

30V,P-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •TrenchMOSFETtechnology •Small

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
PMPB12R5UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFETtechnology •Small

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

Q12R5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    Q12R5

  • 功能描述

    1 AND 2 WATT DC/DC CONVERTERS

Q12R5供应商更多...

更新时间：2025-5-13 9:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
现代芯城（深圳）科技有限公司
Q13,56-JXS32-10-10/15-T1-WA-LF
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深圳市赛特兴科技有限公司
Q1300-0030
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PGA
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深圳市福田区亿兴成电子商行
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深圳市纳艾斯科技有限公司
Q13.0-JXS32-12-10/50-T1-LF
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万三科技(深圳)有限公司
Q12RB6FF15
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上海金庆电子技术有限公司
Q12RB6FF15
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深圳市一线半导体有限公司
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PGA101
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深圳市创新迹电子有限公司
Q1300-0026B
AMCC
22+
PGA
25000
只做原装进口现货,专注配单
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