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PHB119NQ06T中文资料

厂家型号

PHB119NQ06T

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94.09Kbytes

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13

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

MOSFET TRENCHMOS(TM)FET

数据手册

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生产厂商

PHI

PHB119NQ06T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB119NQ06T

  • 功能描述

    MOSFET TRENCHMOS(TM)FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-17 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
24+
TO-263
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
PHI
25+
TO-263
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
PHI
08+
TO-263
20000
普通
PHI
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
PHI
24+
NA/
1550
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
PHI
1415+
TO-263
28500
全新原装正品,优势热卖
PHI
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
PHI
23+
TO-263
89630
当天发货全新原装现货
恩XP
17+
SOT404TO-263D2PAK
31518
原装正品 可含税交易
PH
24+
SOT404TO-263D2PAK
8866