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PHB112N06T中文资料

厂家型号

PHB112N06T

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

数据手册

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生产厂商

ISC

PHB112N06T数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 8.0mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PHB112N06T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB112N06T

  • 功能描述

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-18 9:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
24+
TO-263
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
PHI
17+
TO-263
6200
恩XP
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
PHI
08+
TO-263
20000
普通
PHI
23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
恩XP
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
PHI
25+
TO-263
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
PHI
23+
TO-263
89630
当天发货全新原装现货
PHI
24+
NA/
3406
原厂直销,现货供应,账期支持!
恩XP
2023+
SOT252
50000
原装现货

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