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PHB110NQ06LT中文资料

厂家型号

PHB110NQ06LT

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218.94Kbytes

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13

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

MOSFET N-CH TRENCH 55V

数据手册

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生产厂商

恩XP

PHB110NQ06LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB110NQ06LT

  • 功能描述

    MOSFET N-CH TRENCH 55V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-15 14:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
恩XP
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
恩XP
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
8000
只做原装现货
恩XP
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
7000
恩XP
25+
SOT404
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
恩XP
24+
TO-263
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恩XP
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TO-263
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恩XP
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