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PHB110NQ08T中文资料

厂家型号

PHB110NQ08T

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89.77Kbytes

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13

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

MOSFET TRENCH-75

数据手册

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生产厂商

PHI

PHB110NQ08T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB110NQ08T

  • 功能描述

    MOSFET TRENCH-75

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-2 15:48:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
08+
TO-263
20000
普通
NEXPERIA/安世
25+
SOT404
600000
NEXPERIA/安世全新特价PHB110NQ08T,118即刻询购立享优惠#长期有排单订
恩XP
17+
D2PAK
31518
原装正品 可含税交易
Nexperia(安世)
24+
SOT-404
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
PH
24+
SOT404TO-263D2PAK
8866
恩XP
12+
TO-263
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
恩XP
16+
NA
8800
诚信经营
恩XP
23+
TO-263
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NEXPERIA/安世
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