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PHB108NQ03LT中文资料
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FEATURES
·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 6mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·Switch-mode Power Supplies
·Power Motor Control
PHB108NQ03LT产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHB108NQ03LT
- 功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-31 23:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
12048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
|||
PHI |
24+ |
TO-263 |
3200 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
恩XP |
24+ |
TO-263 |
504475 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
PH |
24+ |
SOT404TO-263D2PAK |
8866 |
||||
PHI |
23+ |
TO-263 |
8890 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
|||
恩XP |
16+ |
NA |
8800 |
诚信经营 |
|||
PHI |
22+ |
TO263 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
|||
恩XP |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
PHI |
23+ |
NA |
32354 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
PHI |
25+23+ |
TO-263 |
28901 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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- KNB160ZL20
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
