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RF Power Field Effect Transistor

450-1500 MHz, 10 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications. • Typical Two-Tone Performance @ 960 MHz, VDD = 28

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors

ETC

知名厂家

更新时间:2025-12-29 23:01:01
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