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N-Channel Enhancement MOSFET

Features  VDS=100V, ID=3A  RDS(ON)

GWSEMI

唯圣电子

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JJW

捷捷微

PDF上传者:深圳市溢航科技有限公司

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体

更新时间:2025-8-11 23:39:01
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