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N-ChannelEnhancementMOSFET

Features VDS=100V,ID=3A RDS(ON)

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd .

唯聖電子唯聖電子有限公司

GWSEMI

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JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司

PDF上传者:深圳市溢航科技有限公司

JJW

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:2.43704 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件:3.18825 Mbytes Page:7 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件:2.70066 Mbytes Page:7 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER
更新时间:2024-6-19 19:47:01
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10065
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