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DO3N10

丝印代码:MA4;N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:2.43704 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTER

杜因特

DO3N10

MOSFET

DOINGTER

杜因特

MOSFET

DOINGTER

杜因特

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:3.18825 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:398.49 Kbytes Page:8 Pages

PANJIT

強茂

N-channel D-PAK MOSFET

文件:535.87 Kbytes Page:5 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:211.28 Kbytes Page:4 Pages

UTC

友顺

DO3N10产品属性

  • 类型

    描述

  • Package:

    SOT-23

  • ESD Diode:

    N

  • VDS (V):

    100

  • VGS ±(V):

    20

  • ID(A):

    2.8

  • VGS(th) (min V):

    1

  • VGS(th) (max V):

    2.5

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    310

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    320

  • Qg (nC):

    9.7

  • Ciss(pF):

    508

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