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F3N10HU

N-Channel Enhancement MOSFET

Features  VDS=100V, ID=3A  RDS(ON)

GWSEMI

唯圣电子

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:2.43704 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:2.70066 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

N-Channel MOSFET

文件:362.46 Kbytes Page:4 Pages

KEXIN

科信电子

更新时间:2025-11-17 18:57:00
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