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RFPowerFieldEffectTransistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularra

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

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RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

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飞思卡尔

freescale

45W,2.110GHz-2.170GHz,N-ChannelE-Mode,LateralMOSFET

文件:419.82 Kbytes Page:9 Pages

TriQuint

TriQuint Semiconductor, Inc.

TriQuint
更新时间:2024-6-3 22:30:01
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