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位置：首页 > IC中文资料第3512页 > MRF21045

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MRF21045

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21045

RF Power Field Effect Transistors

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular ra

Motorola

摩托罗拉

MRF21045LR3

RF Power Field Effect Transistors

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21045LSR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21045LSR3

RF Power Field Effect Transistors

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular ra

Motorola

摩托罗拉

MRF21045LR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

文件：479.17 Kbytes Page：11 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21045LR3_08

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21045LR5

封装/外壳：NI-400 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-400 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF21045LSR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21045LSR3

封装/外壳：NI-400S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

AGR21045EF

45 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

文件：419.82 Kbytes Page：9 Pages

TriQuint

MRF21045产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF21045

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-400

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

MRF21045供应商更多...

更新时间：2025-8-8 17:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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